Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ

ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ

І МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ

Книга 1

 

м. Дрогобич 2012р.

Зміст

Передмова…………………………………………………………………………………………………………………………………………6

 

Розділ 1. ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ 7

Тема 1.1. ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ 7

1. Вступ. Мета та завдання предмету. 7

2. Електрони в атомі. Основи зонної теорії твердого тіла. 7

3. Робота виходу електронів. 15

4. Види електронної емісії. 18

5. Рух електронів в електричному полі. 18

6. Рух електронів в магнітному полі 20

Тема 1.2. ПРИСТРОЇ ВІДОБРАЖЕННЯ ІНФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННО-ПРОМЕНЕВИХ ТРУБКАХ. 23

1. Електронно-променеві трубки (ЕПТ) та їх класифікація. 23

2. ЕПТ з електростатичним керуванням.. 24

3. ЕПТ з магнітним керуванням.. 28

Тема 1.3. ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НАПІВПРОВІДНИКІВ. 34

1. Внутрішня структура напівпровідників. 34

2. Власна провідність напівпровідників. 35

3. Дрейфовий та дифузійний струми в напівпровідниках. 37

4. Температурна залежність провідності напівпровідників. 40

5. Домішкова провідність напівпровідників. 41

6. Електропровідність напівпровідників в сильних електричних полях. Ефект Ганна. 44

7. Ефект Холла. 45

Тема1.4.КОНТАКТНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ. 46

1. Формування контакту напівпровідник – напівпровідник. 46

Електронно-дірковий перехід. 46

2. Енергетична діаграма p-n переходу. 48

3. Властивості p-n переходу при наявності зовнішньої напруги. 49

4. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) p-n переходу. 51

5. Температурні і частотні властивості p-n переходу. 52

6. Контакт метал – напівпровідник. Перехід Шотткі 54

7. Тунельний ефект. 55

8. Гетероперехід. 57

Тема 1.5.ОПТИЧНІ І ФОТОГАЛЬВАНІЧНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ. 58

1. Фотопровідність в напівпровідниках. Фоторезистивний ефект. 59

2. Фотогальванічний ефект. 60

3. Електромагнітне випромінювання в напівпровідниках. Лазери. 61

 

Розділ 2. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ ……………………………………………………………………………………..66

Тема 2.1. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ.. 66

1. Класифікація і умовні позначення напівпровідникових діодів. 66

2. Конструкція напівпровідникових діодів. 67

3. Вольтамперна характеристика і основні параметри напівпровідникових діодів. 69

4. Випрямні діоди. 70

5. Стабілітрони. 73

6. Варикапи. 75

7. Світлодіоди. 77

8. Фотодіоди. 79

9. Високочастотні діоди. 82

10. Імпульсні діоди. Діоди Шотткі 83

Тема 2.2.НАПІВПРОВІДНИКОВІ РЕЗИСТОРИ.. 88

1. Види напівпровідникових резисторів. 88

2. Терморезистори та їх основні характеристики. 88

3. Фоторезистори. 93

4. Варистори. 95

Тема 2.3. БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ.. 97

1. Класифікація і маркування транзисторів. 97

2. Будова та основні види біполярних транзисторів. 99

3. Принцип роботи біполярних транзисторів. 101

4. Схеми ввімкнення біполярних транзисторів. 104

5. Підсилювальні властивості транзисторів та їх еквівалентні схеми. 107

6. Статичні характеристики біполярних транзисторів. 112

7. Динамічний режим роботи транзисторів. 115

8. Транзистор, як активний чотириполюсник. h – параметри транзистора. 118

9. Температурні і частотні властивості транзисторів. 123

Тема 2.4. ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ.. 125

1. Загальні відомості 125

2. Будова та принцип роботи польових транзисторів з керуючим p-n переходом.. 126

3. Польові транзистори з ізольованим затвором.. 129

4. Польові транзистора для ІМС репрограмуючих постійних запам'ятовуючих пристроїв ( РПЗП ). 132

Тема 2.5 ТИРИСТОРИ.. 133

1. Будова принципи роботи диністорів. 133

2. Триністори. 136

3. Спеціальні види тиристорів (симістори, фототиристори, оптронний тиристор). 139

 

Розділ 3. ПІДСИЛЮВАЧІ ЕЛЕКТРИЧНИХ СИГНАЛІВ……………………………………………………………………….141

Тема 3.1. КЛАСИФІКАЦІЯ І ОСНОВНІ ТЕХНІЧНІ ПОКАЗНИКИ ПІДСИЛЮВАЧІВ. 141

1. Класифікація підсилювачів. 141

2. Основні технічні параметри підсилювачів. 142

3. Характеристики підсилювачів. 145

Тема 3.2. КАСКАДИ ПОПЕРЕДНЬОГО ПІДСИЛЕННЯ СИГНАЛІВ НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ.. 147

1. Призначення та структурна схема підсилювача сигналів низької частоти (ПНЧ) 147

2. Кола зміщення підсилювальних каскадів. 148

3. Температурна стабілізація режимів роботи підсилювачів. 151

4. Графоаналітичний розрахунок підсилювального каскаду на БП транзисторі 154

5. Підсилювальні каскади на польових транзисторах. 157

6. Види міжкаскадних зв’язків в підсилювачах. 159

7. Еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками. 161

Тема 3.3. ВИХІДНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ СИГНАЛІВ НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ.. 163

1. Прохідна динамічна характеристика транзистора. 163

2. Режими роботи підсилювальних каскадів. 164

3. Вихідні каскади підсилювачів. 166

Тема 3.4. ЗВОРОТНІЙ ЗВ'ЯЗОК В ПІДСИЛЮВАЧАХ. 173

1. Зворотній зв'язок та його види. 173

2. Вплив зворотного зв’язку на коефіцієнт підсилення і вхідний опір підсилювача. 175

3. Вплив від’ємного зворотного зв’язку на нелінійні і частотні спотворення. 177

Список літератури………………………………………………………………………………………………………………………….179

 


Передмова

В освітньо – професійній програмі вищої освіти за професійним спрямуванням 5.0502101 “ Обслуговування систем управління та автоматики ” передбачена дисципліна “ Основи електроніки і мікроелектроніки ”.

Мета вивчення дисципліни – засвоєння принципів побудови і застосування основних елементів електроніки та мікросхемотехніки , основних електронних схем аналогової та імпульсної схемотехніки.

Вказана дисципліна вивчається протягом 2-х семестрів і базується на певному запасі знань з фізики, теоретичних основ електротехніки та математики.

При вивченні курсу студенти повинні отримати необхідні теоретичні знання про роботу найбільш поширених електронних приладів; принципи побудови типових електронних схем; сучасну компонентну базу електроніки та мікросхемотехніки; виконувати ряд лабораторних і практичних робіт, навчитися розраховувати типові електронні схеми; аналізувати схемні рішення електронних пристроїв та їх функцій.

Конспект лекцій “ Основи електроніки і мікроелектроніки ” складається із 2-х книг, які містять десять розділів. В першому розділі розглядаються електрофізичні основи роботи електронних приладів та інтегральних мікросхем. Другий розділ присвячений вивченню технічних характеристик і параметрів напівпровідникових приладів. В третьому розділі розглядаються основи схемотехніки підсилювачів сигналів низької частоти. В четвертому розділі вивчаються основи мікроелектроніки – види інтегральних мікросхем та їх будова. Четвертий розділ присвячений вивченню підсилювачів постійного струму, зокрема операційним підсилювачам. Сьомий розділ – описані генератори синусоїдних коливань. Восьмий розділ присвячений імпульсним пристроям – особливостям побудови типових електронних схем логічних елементів, електронних ключів, генераторів імпульсів. В дев’ятому розділі розглядаються джерела живлення електронних схем: випрямлячі змінного струму, стабілізатори напруги компенсаційного типу та імпульсні стабілізатори. В десятому розділі розглядаються основи оптоелектроніки, пристрої відображення інформації – буквенно-цифрові індикатори.

Книга призначена для студентів і викладачів технічних коледжів, технікумів і ВНЗ.


 

Розділ 1

ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ




©2015 studenchik.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.